绑定清洗、清洗、捷纳特精密科技

等离子去除光致抗蚀剂

在晶片制造工艺中，绑定清洗，使用氧等离子体去除晶片表面抗蚀刻(photoresist)。干式工艺唯’一的缺点是等离子体区的活性粒子可能会对一些电敏感性的设备造成损害。为了解决这一问题，人们发展了几种工艺，其一是用一个法拉*装置以隔离轰击晶片表面的电子和离子;另一种方法是将清洗蚀刻对象置于活性等离子区之外。(顺流等离子清洗)蚀刻率因电压、气压以及胶的量而定，典型的刻蚀率为100nm/min，正常需要10min。

等离子清洗原理与超声波原理不同，当舱体里接近真空状态时，开启射频电源，塑料基板清洗，这时气体分子电离，产生等离子体，并且伴随辉光放电现象，等离子体在电场下加速，从而在电场作用下高速运动，对物体表面发生物理碰撞，等离子的能量足以去除各种污染物，COG清洗，同时氧离子可以将**污染物氧化为二氧化碳和水蒸气排出舱体外。

等离子清洗不需要其他的原料，只要空气就能够满足要求，使用方便而且没有污染，同时比超声波清洗更具有的优势是等离子不但可以进行表面清洗，更重要的是可以提高表面活性，清洗，等离子体与物体表面进行化学反应能够产生活性化学集团，这些化学集团有很高的活性，从而应用范围很广，比如提高材料表面粘接能力，提高焊接能力，邦定性，亲水性等等很多方面，因此等离子清洗已经成为清洗行业的主流与趋势。